12月4日半导体设备ETF、科创芯片ETF强势。半导体设备ETF在上午震荡走高，下午维持横盘，收涨2.4%。科创芯片ETF则在上午回落之后震荡走高，收涨2.4%。

资料来源：wind

据摩尔线程披露的上市公告书，公司将于12月5日上市。公司发行后总股本为47,002.8217万股，其中本次新股上市初期的无限售流通股数量为2,938.2386万股，占本次发行后总股本的比例为6.25%。本次发行价格114.28元/股对应的发行人2024年摊薄后静态市销率为122.51倍，高于同行业可比公司2024年静态市销率平均水平，存在未来发行人股价下跌给投资者带来损失的风险。发行人和保荐人（主承销商）提请投资者关注投资风险，审慎研判发行定价的合理性，理性做出投资。

数日前的2025年11月23日，长鑫存储正式发布8000Mbps DDR5芯片及七大模组产品。相关技术突破，表明了产业链进展的迅速。今年下半年以来，由于AI需求爆发导致产能挤占，存储产品持续涨价。从下游不用应用市场看，存储芯片或在Q4维持双位数涨幅。同时，展望明年，GPU加速释放，AI端侧或也有改善，存储的产能紧缺可能持续。

资料来源： CFM闪存市场，兴业证券

也部分因为存储涨价，作为中国存储芯片的龙头厂商，市场对长鑫存储的上市也十分关注。长鑫在早些时候公布了上市公告书之后，目前市场预期或将于明年上市，近期可能公布招股书。

从ETF的角度看，跟存储相关性最强的产品或是半导体设备ETF。因为目前芯片类ETF中含有存储权重多数为10-20%，含量较低，无法充分跟随存储板块行情。而在目前Dram、Nand走向空间化的过程中，所需要的刻蚀和薄膜沉积工序越来越多。且刻蚀和薄膜沉积均为中国厂商的强项。因此，无论是存储持续涨价，还是两存上市都有望提振明年存储扩产预期。而在存储扩产的过程中，国内半导体设备厂商则有望斩获大量订单，包括薄膜沉积、刻蚀、量检测等环节。

资料来源：拓荆科技

综上，当前半导体板块仍为人工智能驱动，但结构之间有所区别。从国产算力的角度而言，中国是全球第二大计算市场，国产GPU空间广大，且有望带动存储等器件需求，有兴趣的投资者可以关注科创芯片ETF（589100）。更深一步，消费电子、GPU需求带来的先进制程扩产及存储扩产等催化，或铸就半导体设备中长期景气，这条线可关注半导体设备ETF（159516）。

风险提示：

投资人应当充分了解基金定期定额投资和零存整取等储蓄方式的区别。定期定额投资是引导投资人进行长期投资、平均投资成本的一种简单易行的投资方式。但是定期定额投资并不能规避基金投资所固有的风险，不能保证投资人获得收益，也不是替代储蓄的等效理财方式。

无论是股票ETF/LOF基金，都是属于较高预期风险和预期收益的证券投资基金品种，其预期收益及预期风险水平高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。

基金资产投资于科创板和创业板股票，会面临因投资标的、市场制度以及交易规则等差异带来的特有风险，提请投资者注意。

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