财中ETF风向标|半导体ETF博时(159582)盘中涨2.25%,3D DRAM刻蚀工艺突破提振设备链
创始人
2026-09-07 14:40:37
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国内半导体设备龙头3D DRAM刻蚀工艺获得重要突破,在散热难题破解带动设备链增量逻辑升温的背景下,半导体ETF博时(159582)盘中走高。截至9月7日13点16分,该ETF上涨2.25%,报于盘中高位附近,成交额6559万元,换手率8.02%,规模8.04亿元。

四大指数盘中涨跌互现,创业板指表现领先。上证指数下跌0.18%,深证成指上涨1.46%,沪深300上涨0.28%,创业板指上涨2.78%。隔夜美股三大指数集体收跌,道指跌0.51%、纳指跌0.29%、标普500跌0.38%。

半导体ETF博时截至上一交易日已连跌4天,盘中转涨。该ETF前5个交易日累计下跌7.06%。资金流向方面,该ETF上一交易日主力资金净流出3344万元,近5个交易日主力资金累计净流出7912万元(8月31日至9月4日),5日净流出率9.8%。

据2026年二季报,半导体ETF博时前十大权重股合计占比74.87%。当日盘中,中微公司(688012)上涨2.60%,北方华创(002371)上涨3.44%,长川科技(300604)上涨5.86%,拓荆科技(688072)上涨4.28%,中科飞测(688361)上涨4.07%。

华创证券指出,中科飞测(该ETF前十大权重股)2026年Q2营收5.45亿元,环比增37.62%,明、暗场检测设备实现批量销售,合同负债与存货激增预示订单饱满。方正证券认为,长川科技(该ETF前十大权重股)2026H1营收34.61亿元,同比增59.72%,测试机与分选机收入及毛利率双增,高端新品进入放量期。

半导体ETF博时综合费率0.6%/年,为同指数2只ETF中费率最低一档,规模居同指数第2位。该ETF紧密跟踪中证半导体产业指数,据中证指数官网数据,该指数最新市盈率162.56倍,股息率0.11%。指数编制方案显示,其从上市公司中选取不超过40只业务涉及半导体材料、设备和应用等相关领域的证券作为样本。

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