截至2026年3月13日 09:50，科创芯片设计ETF(588780)盘中换手3.63%，成交3386.93万元，成分股方面涨跌互现，新相微领涨2.13%，寒武纪上涨1.89%，佰维存储上涨1.59%。

半导体ETF(512480)盘中换手1.17%，成交2.50亿元，成分股方面涨跌互现，德明利领涨5.62%，寒武纪上涨1.89%，佰维存储上涨1.59%。

Wind数据显示，截至3月12日，科创芯片设计ETF(588780)最新单日资金净流入343.25万元，半导体ETF(512480)最新单日资金净流入3.16亿元。

科创芯片设计ETF(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF(588780)是跟踪科创芯片指数的同类产品中，成立时间最早、规模最大的产品。

此外，半导体ETF（512480）备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

消息面上，寒武纪发布2025年年度报告，公司实现营业收入64.97亿元，同比增长453.21%；归属于上市公司股东的净利润20.59亿元，同比扭亏为盈。

根据TrendForce集邦咨询最新晶圆代工产业研究，2025年第四季先进制程持续受惠于AI服务器GPU、谷歌TPU供不应求，加上智能手机新品驱动手机主芯片投片，出货表现亮眼。成熟制程部分，服务器、Edge AI的电源管理订单维持八英寸高产能利用率，甚至酝酿涨价，加上十二英寸产能利用率大致持平，推升该季度全球前十大晶圆代工厂合计产值季增2.6%，达到约463亿美元。

华鑫证券分析指出，2026年半导体行业呈现结构性景气攀升特征，AI算力基础设施爆发正强势挤出传统产能——高带宽内存（HBM）与先进制程稀缺性抬升全产业链成本基准，中芯国际93.5%的产能利用率与部分分立器件企业毛利承压形成鲜明对比，印证本轮复苏本质是以AI为核心的局部高景气，而非行业普适性回暖。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：“成立最早、规模最大”指截至2026.3.12，科创芯片设计ETF为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。

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